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透明导电薄膜材料的研究工作

发布时间:2016/7/7

透明导电薄膜材料的研究工作可以追溯到19世纪末,当时是在光电导的材料上获得很薄的 金属薄膜。1907年,Bakdeker报道了 CdO透明导电膜,是最早的透明导电氧化物薄膜。1950年 前后,制造出了最早有应用价值的Sn02基透明导电膜,并出现了综合光电性能优良的ln203基 薄膜。特别是在ln203里掺入锡(即掺锡ln203,indium tin oxide, ITO)以后,使这种材料在透 明导电薄膜方面得到了普遍的应用,并具有广阔的应用前景。20世纪80年代,出现了研究ZnO 基薄膜的热潮。1985年,TakeaOjioSizoMiya首次用气相聚合法合成了导电PPY-PVA复合膜, 从而开创了导电高分子的光电领域。2004年,出现了新的透明导电膜体系。Wu等首次报道了碳 纳米管透明导电膜[carbon nanotube (CNT) TCF],经过几年的研究,碳纳米管透明导电膜已 经具备了可以与传统ITO相比拟的高透光性和高导电率。Geim等首次提出具有碳单原子层结构 的石墨单原子层透明导电膜(graphene TCF),目前研究者已经制备了具备高导电性和可见、近 红外高透过性的石墨薄膜基透明导电膜。2008年,Chen等通过设计组装Ci^S量子点到致密 Cu-S薄膜上,制备了量子点透明导电薄膜[quantum dot (QD) TCF]。

透明导电膜的发展史:

19世纪末 金属薄膜

1907年 CdO透明导电膜

1950年前后 Sn02基、ln203基和掺锡In23透明导电膜

20世纪80年代 ZnO基透明导电膜

1985年 导电PPY-PVA复合透明导电膜

2004年 碳纳米管透明导电膜、石墨单原子层透明导电膜

2008年 CiS量子点透明导电薄膜

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