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溅射法镀膜都是以靶材作为阴很,因此只能溅射导体镀膜材料。为了溅射绝缘材料,发展了 一种新的溅射方法,即射频溅射。其装置与直流二很溅射相类似,只是将直流电源换成了交流电 源,当交流电频率小于50kHz时,气体放电的情况与直流的时候没有根本区别,但当频率超过 50kHz时,放电过程开始出现以下两个变化,第一是在两极之间等离子体中不断振荡运动的电子 可直接从高频电场中获得足够的能量,并更加有效地与气体分子发生碰撞并使后者发生电离,从 而产生稳定的射频辉光放电,在射频辉光放电空间中电子震荡足以达到产生电离碰撞的能量,所 以减小了放电对二次电子的依赖,降低了击穿电压。因此,射频溅射可以在1Pa左右的低压下进 行,沉积速率也因气体分子散射少而较二极溅射时高;第二,高频电场可以经由其他阻抗形式耦 合进入沉积室,而不必再要求电极一定是导体。射频所用电源的 频率在1〜30MHz之间,通常使用的是13.56MHz。
与直流溅射相比,射频溅射的特点是:
①除了可以沉积导体外,还可以沉积半导 体、绝缘体靶材;
②薄膜和衬底之间有较强的附着力;
③制备的薄膜结构致密、针孔少,纯度高;
④可以方便地控制薄膜的成分,且在工艺参 数确定的情况下,重复性良好;
⑤工作气体压力范围宽,约从几百帕到10-2Pa
⑥设备复杂,需要高压装置,且由于在沉积 过程中受荷能粒子的轰击,因而会影响衬底温度及薄膜的结构。