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光化学气相沉积是采用高能光子有选择性地激发表 面吸附分子或气体分子,从而导致键断裂、产生自由化 学粒子形成膜或在相邻的基片上形成化合物时,产生光 化学沉积。这一过程强烈依赖于人射线的波长,光源可 以是激光或紫外灯,除了直接诱导光致分解过程外,也 可用隶敏化(mercury sensitized),制得高质量薄膜。由
于光化学气相沉积中的分解和成核均由光子源控制,因此基片温度可以独立控制。
光化学气相沉积制备高质量a-Si : H薄膜的实验装置,在这一实验中,由微波源 引发的H2放电管用作真空紫外线源,用He稀释的Si2Hs作为反应气体源,通过管路引入到反 应室中接近基片处,Si2H6/He和He流量分别为50mL/min和130mL/min,沉积过程中反应室Si片,温度为50〜350°C时,沉积时间5h。实验发现沉积
率与基片温度无关,表明不存在其他热分解。制得的薄膜 光敏度aphArd为10-7。该沉积系统的优点是:①真空紫外线可以在没有任何 吸收损失条件下直接进入窗口;②在窗口处可避免薄膜沉 积;③没有光线直接到达基片。这样可以避免在传统的光 化学气相沉积过程中存在的①和②两项严重问题。
利用光化学气相沉积技术已在石英基片上制备出Zn、 Se、ZnSe、Mo、W和Cr薄膜,在玻璃表面制备出a-Si :
H、a-SiC : H、Zn3P2薄膜等,是一项很有发展前景的化学 气相沉积技术。