透明导电薄膜材料的研究工作

透明导电薄膜材料的研究工作可以追溯到19世纪末，当时是在光电导的材料上获得很薄的 金属薄膜。1907年，Bakdeker报道了 CdO透明导电膜，是很早的透明导电氧化物薄膜。1950年 前后，制造出了很早有应用价值的Sn0₂基透明导电膜，并出现了综合光电性能优良的ln₂0₃基 薄膜。特别是在ln₂0₃里掺入锡（即掺锡ln₂0₃，indium tin oxide, ITO)以后，使这种材料在透 明导电薄膜方面得到了普遍的应用，并具有广阔的应用前景。20世纪80年代，出现了研究ZnO 基薄膜的热潮。1985年，TakeaOjioSizoMiya首次用气相聚合法合成了导电PPY-PVA复合膜， 从而开创了导电高分子的光电领域。2004年，出现了新的透明导电膜体系。Wu等首次报道了碳 纳米管透明导电膜[carbon nanotube (CNT) TCF],经过几年的研究，碳纳米管透明导电膜已 经具备了可以与传统ITO相比拟的高透光性和高导电率。Geim等首次提出具有碳单原子层结构 的石墨单原子层透明导电膜（graphene TCF)，目前研究者已经制备了具备高导电性和可见、近 红外高透过性的石墨薄膜基透明导电膜。2008年，Chen等通过设计组装Ci^S量子点到致密 Cu-S薄膜上，制备了量子点透明导电薄膜[quantum dot (QD) TCF]。

透明导电膜的发展史：

19世纪末 金属薄膜

1907年 CdO透明导电膜

1950年前后 Sn0₂基、ln₂0₃基和掺锡In₂〇₃透明导电膜

20世纪80年代 ZnO基透明导电膜

1985年 导电PPY-PVA复合透明导电膜

2004年 碳纳米管透明导电膜、石墨单原子层透明导电膜

2008年 CiS量子点透明导电薄膜