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薄膜应力主要分为热应力和内应力。热应力主要是基片和薄膜热膨胀系数不同所导致的应力 和薄膜与基片共同受到塑性变形所引起的应力;薄膜的内应力形成的原因是薄膜生长过程中的热 收缩、晶格错配或杂质的存在、相变、表面张力等因素。
目前,x射线原位应力测定被认为是分析薄膜应力的很有效的技术之一。按照薄膜光学理 论,实验中得到的残余应力为热应力和内应力之和。XRD测量内应力的实质是测量内应变,然 后推算出内应力值。用XRD法的siW来测量是很简单的形式,在测定中无需转动试样,测得 的衍射峰是由膜中平行于表面的某一晶面所贡献的。衍射峰偏移A20是由膜生长或温度改变引起 的,因此,衍射峰位狀的测量精度仅取决于仪器如扫描的重现性(<0.002°),这种技术具有测 定快速、精度较高等特点。